Apple iPhone dan iPad menawarkan kapasitas penyimpanan terbesar 64GB dan harganya ajubileh alias jauh lebih mahal dibanding versi 16GBnya dan sebagian besar ponsel hanya menawarkan kapasitas internal storage (ROM) hanya sekitar 16GB dan 32GB saja. Nah beruntung kita hidup di masa yang canggih, dan sudah ada penelitian dari Universitas Rice Amerika Serikat yang menemukan teknologi silicon oxode yang memungkinkan memori komputer masa depan dengan kepadatan tinggi yang memungkinkan kapasitas besar dalam ukuran kecil.
Mereka menemukan memori RRAM baru yang berbasis porous silicon oxide di mana memori jenis ini pertama kali ditemukan 5 tahun lalu di mana kepanjangan RRAM adalah “resistive random-access memory”. Anda bisa melihat desain dan komposisi RRAM dari mikroskop elektron pada gambar berikut
ini:
RRAM sedang dalam pengembangan di dunia untuk menggantikan teknologi flash memory dalam beberapa tahun lagi karena lebih cepat dari flash dan mampu menampung jauh lebih banyak data. Pabrikan sudah berencana untuk memproduksi chip prototipe RRAM yang mampu menyimpan data 1TB pada perangkat seukuran perangko pos yang berarti kalau dibandingkan kapasitas yang ada sekarang ini mengalami peningkatan sebanyak 50X lipat.
Peneliti bernama Gunuk Wang dari Universitas Rice dan James Tour pakar kimia telah mendemonstrasikan teknik baru menggunakan porous silicon oxide untuk membuat memori RRAM yang dapat diproduksi dengan teknik pabrikasi/produksi sekarang ini. Bahkan materi ini meningkatkan ketahanan sampai 100X lebih baik dibanding memori sebelumnya.
Jadi tenang saja, tunggu beberapa tahun lagi maka Anda bisa memperoleh ponsel dengan kapasitas penyimpanan yang sangat memadai dan lebih dari cukup untuk kebutuhan multimedia Anda.
Facebook : Rama Fachrizi Revszen
Twitter : @holiq009
Mereka menemukan memori RRAM baru yang berbasis porous silicon oxide di mana memori jenis ini pertama kali ditemukan 5 tahun lalu di mana kepanjangan RRAM adalah “resistive random-access memory”. Anda bisa melihat desain dan komposisi RRAM dari mikroskop elektron pada gambar berikut
RRAM sedang dalam pengembangan di dunia untuk menggantikan teknologi flash memory dalam beberapa tahun lagi karena lebih cepat dari flash dan mampu menampung jauh lebih banyak data. Pabrikan sudah berencana untuk memproduksi chip prototipe RRAM yang mampu menyimpan data 1TB pada perangkat seukuran perangko pos yang berarti kalau dibandingkan kapasitas yang ada sekarang ini mengalami peningkatan sebanyak 50X lipat.
Peneliti bernama Gunuk Wang dari Universitas Rice dan James Tour pakar kimia telah mendemonstrasikan teknik baru menggunakan porous silicon oxide untuk membuat memori RRAM yang dapat diproduksi dengan teknik pabrikasi/produksi sekarang ini. Bahkan materi ini meningkatkan ketahanan sampai 100X lebih baik dibanding memori sebelumnya.
Jadi tenang saja, tunggu beberapa tahun lagi maka Anda bisa memperoleh ponsel dengan kapasitas penyimpanan yang sangat memadai dan lebih dari cukup untuk kebutuhan multimedia Anda.
Facebook : Rama Fachrizi Revszen
Twitter : @holiq009
